随着半导体封装元件的小型化/多品种化进程的不断加快，QFN（Quad Flat Non-leaded Package）的切割方法也发生了改变，从原来使用剪床和铣床改为使用切割机进行切割加工。能否有效地抑制铜材料特有毛刺的发生，并最大限度地提高生产率已经成为加工QFN时的关键因素。上海芯陶微可对QFN实施高质量加工（减少毛刺的发生及提高生产率）的新型树脂结合剂磨轮刀片和适用于加工QFN的切割方案。

切割方式和特点

金刚石砂轮划片：

采用高速旋转的超薄金刚石刀片（厚度通常为0.1~0.5 mm，刀片颗粒度#400~#2000）沿预定切割道对陶瓷整板进行步进切割。该方式适用于氧化铝、氮化铝等硬度较高但非脆性极大的陶瓷材料，可处理厚度0.25~2.0 mm的基板。工艺关键在于：控制主轴转速（20,000~40,000 rpm）、进给速度（1~20 mm/s）及冷却水量（避免热积累导致陶瓷开裂）；切割后切口边缘崩边宽度应≤50 μm，金属化层不得起皮或翘曲。

激光切割：

采用紫外激光（波长355 nm）或皮秒/飞秒激光，通过热蒸发或冷烧蚀方式切割陶瓷。激光切割非接触、无机械应力，特别适用于薄壁空腔、异形轮廓或小尺寸封装（如单颗≤3 mm×3 mm）的批量分割。紫外激光的短波长可减少热影响区（HAZ<10 μm），避免金属化层熔化飞溅。

典型应用场景

空腔型封装阵列分割：将整板（如100 mm×100 mm）上排列的数十至数百个空腔型管壳切割为独立器件，每个器件包含一个下沉腔体及周边金属化焊盘。

盖板切割：对匹配基板的盖板进行精密切割，要求切口平整、无毛刺，以便后续封口点胶工艺。

异形封装轮廓：对微波模块所需的不规则形状（圆形、椭圆形、台阶状）基板，采用激光切割一次成型，避免传统机械加工的模具成本。